омпания Plextor, больше известная своими оптическими приводами, пополнила ряды поставщиков твердотельных накопителей. Представленное компанией устройство выполнено в типоразмере 2,5 дюйма. В зависимости от модификации, оно имеет объем 64 или 128 ГБ. В накопителе используются микросхемы флэш-памяти типа MLC NAND, контроллер производства Marvell и 64 МБ кэш-памяти. Устройство оснащено интерфейсом SATA 3 Гбит/с. Заявленное среднее время наработки на отказ составляет 1,5 млн. часов. читать далее »
Дата: 19.01.2010
| Категория: SSD
Южнокорейская компания Samsung Electronics анонсировала два продукта для мобильных приложений, в которых используется флэш-память высокой плотности. Это модуль памяти moviNAND объемом 64 ГБ и карточка памяти формата microSD объемом 32 ГБ.
В указанных новинках используются чипы флэш-памяти производства Samsung плотностью 32 Гбит. Толщина модуля moviNAND равна 1,4 мм. В этот размер конструкторы умудрились втиснуть «бутерброд» из 16 чипов MLC NAND, изготовленных по нормам «30-нанометрового класса» и чип с контролером. Толщина кристаллов равна 30 мкм. Сейчас в ассортименте Samsung есть карты moviNAND объемом 64, 32, 16, 8 и 4 ГБ. Показательно, что модель объемом 32 ГБ была выпущена всего лишь восемь месяцев назад. В ней использовалось восемь чипов плотностью 32 Гбит.
читать далее »
Дата: 19.01.2010
| Категория: Карты памяти
Производители карт памяти в соперничестве со своими конкурентами ориентируются на два показателя: объем и скорость. Первыми объединить скорость 400X и объем 128 ГБ в карте формата Compact Flash смогли специалисты компании Silicon Power.
Анонсированная компанией карта 400X Compact Flash по заявленной скорости уступает носителю того же формата, промаркированному значением 600X, который был представлен в сентябре прошлого года. Между тем, по данным компании, карта 400X в режиме записи демонстрирует впечатляющую скорость до 90 МБ/с. Она поддерживает режимы передачи PIO Mode-6 и Multi-Word DMA 4 mode 6 в четырехканальной конфигурации. Что касается объема — напомним, он равен 128 ГБ — по этому показателю новинка пока не имеет равных в своей категории.
читать далее »
Дата: 19.01.2010
| Категория: Карты памяти
В планах Intel на 2010 год числится выпуск нового поколения твердотельных накопителей (SSD), изготовленных по более совершенному технологическому процессу. На сегодняшний день SSD выпускаются по нормам 34 нм. Переход на новый техпроцесс позволит компании производить более дешёвые и вместительные чипы памяти NAND, что приведёт к снижению цен и увеличению объёмов продукции в целом.
Поддержки твердотельными накопителями интерфейса SATA 6 Гбит/с стоит ожидать не раньше 2011 года. К этому сроку компания планирует закончить разработку наборов системной логики, позволяющих рационально использовать преимущества новой спецификации интерфейса и его высокой пропускной способности.
читать далее »
Дата: 19.01.2010
| Категория: SSD