Память типа SLC NAND с техпроцессом 43 нм.
Компания Toshiba начала производство флеш памяти типа SLC NAND с техпроцессом 43 нм. В линейку входят 16 изделий с плотность от 512 Мбит до 64 Гбит. Появление продуктов на рынке намечается на следующий год.
В последнее время Toshiba наращивала производство флеш памяти типа MLC (multi-level-cell) NAND, используемой для хранения информации, например, в сменных носителях и MP3- плеерах. Производство чипов SLC было ограничено; для него использовались нормы 56 и 70 нм.
Смотрите также:
- Флеш память типа MLC NAND с техпроцессом 34 нм.
- Типы флеш памяти
- Парадокс производства флеш-памяти типа NAND